S26HS01GTFPBHI020 - 带 HyperBus 接口的 1Gbit SEMPER™ NOR 闪存存储器IC，BGA-24 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR（SLC） 存储容量：1Gb 存储器组织：128M x 8 存储器接口：HyperBus 时钟频率：166 MHz 写周期时间 - 字，页：1.7ms 访问时间：5.45 ns 电压 - 供电：1.7V ~ 2V 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：24-VBGA 供应商器件封装：24-FBGA（8x8） 星际金华，明佳达供应，回收S26HS01GTFPBHI020【NOR 闪存存储器IC】S25HL02GTDZBHB053。 S25HL0

概览 为人工智能 (AI) 和第五代移动通信技术 (5G) 的时代装备移动设备。动态随机存取存储器 (DRAM) 和 NAND 闪存整合在单一紧凑的封装内，提供旗舰级性能。LPDDR5 uMCP 带来了高带宽存储和内存，这对于智能手机、可穿戴设备和人工智能技术日益密集的数据需求至关重要。占用更少的空间，并为不断增长的 5G 世界提供能力。 产品描述： 三星首款LPDDR5 uMCP将量产并用于中高端智能手机。LPDDR5基于UFS多芯片封装的LPDDR5，与上一代产品相比，三星uMCP集成了目前

概述： UFS 3.1 : 移动存储的未来 这是旨在满足 5G 不断增长的需求的闪存存储。高达 1TB 的存储空间和更快的写入速度被封装进一个纤薄的尺寸架构中， 非常适合移动设备和汽车解决方案。这意味着更少的缓冲和更多的空间——因此您可以充分运用支持 5G 的优质产品。 [供应] [回收]三星内存芯片 KLUEG8UHYB-B0EP/KLUEG8UHYB-B0EQ UFS 3.1存储器 规格 型号： KLUEG8UHYB-B0EP 版本：UFS 3.1 容量：256 GB 工作电压：1.2 / 2.5 V 接口：G4 2Lane 封装尺寸：11.5 x 13 x 1.2 mm 工作温度：-

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储存器24C011-Kbit(256 X 8bit)， I2C接口电压1.8-5.5V评率1MHz， 工作温度-40~85°C 封装SOT23-5 SOP8 MSOP8 DIP8 TSSOP-8 可代替AT24C01 24LC01 M24C01 CAT24C01 BR24A01

W25N02KVZEIR：104MHz 闪存 - NAND（SLC） 存储器 IC 型号：W25N02KVZEIR 封装：WDFN-8 类型：存储器 IC 星际金华，明佳达供应，回收W25N02KVZEIR。 W25N02KVZEIR 产品属性： 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NAND（SLC） 存储容量：2Gb 存储器组织：256M x 8 存储器接口：SPI - 四 I/O 时钟频率：104 MHz 写周期时间 - 字，页：700µs 访问时间：7 ns 电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-WDFN 供应商器件封装：8-WSON（8

介绍： NOR 产品组合包括串行和 1.2V NOR 闪存，是消费和工业应用的理想之选。此外，还提供符合行业标准的 "GL "系列并行 NOR 闪存产品，密度从 32Mb 到 512Mb。W25X 和 W25Q SpiFlash® Multi-I/O 存储器具有 SPI 接口。W25X 和 W25Q 还具有从 512K 位到 512M 位的密度、小可擦除扇区和高性能等特点。 产品描述 1、W25Q01JVZEIM：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 7.5 ns 8-WSON（8x6） 系列： SpiFlash® 存储器类型： 非易失 存储器格式： 闪存 技术： FLASH - NOR

供应原装GD25B256DFIGR_GD25B256DFIGY NOR 闪存 256Mbit /3.3V /SOP16 300mil /工业（-40 至 +85）/T&R 介绍 GD25B256D (256M 位) 串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI)，并支持双/四 SPI： 串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 和 I/O3。双通道 I/O 数据的传输速度为 208Mbits/s，四通道 I/O 和四通道输出数据的传输速度为 416Mbits/s。 产品型号：GD25B256DFIGR_GD25B256DFIGY 产品种类: NOR闪存 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOP-16 系列: GD25B256D 存储容量: 256 Mbit 电源电压-最小: 2.7

富士通铁 FRAM MB85R256FPNF-G-JNERE2 256 K (32 K * 8) Bit FRAM Memory MB85R256F是一款FRAM(铁电随机存取存储器)芯片，配置为32,768字*8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。 MB85R256F能够在不使用备用电池的情况下保留数据。 MB85R256F中使用的存储单元可以用于1012个读/写操作,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作的数量。 MB85R256F采用伪SRAM接口 •位配置:32,768字*8位 •读写耐力:1012次/字节 •数据保留:10年(85 95.c)， 95年(55 95.c)，超过200年(35 95.c) •工作电

出售原装《MX25U8033EBAI-12G》WLCSP8 存储器 描述：FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb（1M x 8） SPI - 四 I/O 80 MHz 8-WLCSP 深圳市明佳达电子公司 现货供应《MX25U8033EBAI-12G》WLCSP8 存储器，只做原装，库存器件，质量保证，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准，有兴趣的商友，请联系 QQ：1668527835 型号：MX25U8033EBAI-12G 封装：WLCSP8 数量：大量 批次：16+ 类型：存储器 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：8Mb（1M x 8） 存储器接口：SPI - 四 I/O 时

MT25QL128ABA1ESE-0SIT：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI 133MHz 8-SO 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：128Mb 存储器组织：16M x 8 存储器接口：SPI 时钟频率：133 MHz 写周期时间 - 字，页：8ms，2.8ms 电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-SOIC （存储器）MT25QL128ABA1ESE-0SIT（SPI，133MHz）闪存NOR 型号：MT25QL128ABA1ESE-0SIT 封装：8-SOIC 类型：FLASH - NOR 存储器 IC 深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回

与传统存储器比较，富士通FRAM具有高速读写、高读写耐久性和低功耗等方面的优势。高速读写确可保实时存储，帮助系统设计者解决实时存储数据突然断电数据丢失的问题；高耐久性可以实现频繁记录操作历史和系统状态；低功耗主要读写操作功耗低。这些优势使得FRAM越来越多地被需要高可靠性的应用领域所采用，比如计量仪表、电力自动化、医疗器械及医疗电子标签、汽车后装设备、POS机/金融ATM机等等。此外，FRAM不仅可以作为单独的元器件，而

MT25QU128ABA8E12-0SIT：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mbit SPI 133MHz 24-TBGA (6x8) 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：128Mbit 存储器组织：16M x 8 存储器接口：SPI 时钟频率：133 MHz 写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms 电压 - 供电：1.7V ~ 2V 工作温度：-40°C ~ 85°C (TA) 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：24-TBGA (6x8) MT25QL01GBBB8ESF-0AAT：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gbit SPI 133MHz 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：1Gbit 存储器组织：128M x

S25FL256SAGNFI000：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 8-WSON（6x8） 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：256Mb 存储器组织：32M x 8 存储器接口：SPI - 四 I/O 时钟频率：133 MHz 电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-WDFN，8-WSON（6x8） 二、S25FL064LABNFI043：FLASH - NOR 存储器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 8-USON（4x4） 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：64Mb

MX25R6435FM2IL0：FLASH - NOR 存储器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O 80 MHz 8-SOP 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：64Mbit 存储器组织：8M x 8 存储器接口：SPI - 四 I/O 时钟频率：80 MHz 写周期时间 - 字，页：100us，10ms 电压 - 供电：1.65V ~ 3.6V 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-SOIC 供应商器件封装：8-SOP （存储器）MX25R6435FM2IL0（64Mbit，80MHz）NOR闪存 SOP8 型号：MX25R6435FM2IL0 封装：SOP8 类型：串行多 I/o闪存存储器 深圳市

"为什么你老叫我去吃饭?""因为其他人吃不吃和我没关系啊"

S80KS2563GABHM023_S80KS5122GABHA023 伪静态随机存储器(PSRAM)是英飞凌HYPERRAM™系列存储器产品。该HYPERRAM™是具备HyperBus™ 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存储阵列的内部结构类似于DRAM，而外在行为则与SRAM相似。该PSRAM适用于需要额外的RAM来缓冲数据、音频、图像和视频等的应用，或者需要扩展存储器用作便笺式存储器，以进行数据密集型计算的应用。 供求型号：S80KS2563GABHM023_S80KS5122GABHA023 批次：新23+ 封装：24-FBGA 关键特性： 外形小巧 – FBGA封装确保了较小的

2Mb（256M x 8） MX66L2G45GXRI00 FLASH - NOR存储器 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 FLASH - NOR 存储容量 2Gb 存储器组织 256M x 8 存储器接口 SPI - 四 I/O，DTR 时钟频率 166 MHz 写周期时间 - 字，页 40ms，1.5ms 电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 24-TBGA 供应商器件封装 24-CSPBGA（6x8） 型号：MX66L2G45GXRI00 类型：FLASH - NOR 存储器IC 说明：FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb SPI - 四 I/O，DTR 166 MHz 24-CSPBGA（6x8） 明佳达电子（星际金华）长

高速焊线机

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型号：MT40A2G8JE-062E AIT:E 封装：FBGA 类型：动态随机存取存储器 描述：动态随机存取存储器 DDR4 16G 2GX8 FBGA 产品种类：动态随机存取存储器 类型：SDRAM - DDR4 安装风格：SMD/SMT 数据总线宽度：8 bit 组织：2 G x 8 存储容量：16 Gbit 最大时钟频率：1.6 GHz 电源电压-最大：1.2 V 最小工作温度：- 40 C 最大工作温度：+ 95 C 明佳达电子，星际金华（供应/求购）芯片MT40A2G8JE-062E AIT:E，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！

1Gb（128M x 8）MT25QU01GBBB8ESF-0AAT（NOR存储器） 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：FLASH - NOR 存储容量：1Gb（128M x 8） 存储器接口：SPI 时钟频率：133 MHz 写周期时间 - 字，页：8ms，2.8ms 电压 - 供电：1.7V ~ 2V 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装：16-SOP2 型号：MT25QU01GBBB8ESF-0AAT 类型：FLASH - NOR 存储器IC 说明：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb（128M x 8） SPI 133 MHz 16-SOP2 明佳达电子（星际金

介绍 闪存NAND 存储器IC W74M12JWSSIQ/W25Q64FWZPIG 的描述及特性 供应型号：W74M12JWSSIQ W25Q64FWZPIG 年份：21+ 封装：SOP8、WSON8 W74M12J 闪存 - NAND 存储器 IC 128Mb（16M x 8） 104 MHz 8-SOIC 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 闪存 - NAND 存储容量 128Mb（16M x 8） 存储器接口 - 时钟频率 104 MHz 写周期时间 - 字，页 - 电压 - 供电 1.7V ~ 1.95V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 供应商器件封装 8-SOIC W25Q64FW（64M 位）串行闪存

那年代由清华电子厂的磁芯妹手工完成的磁芯存储器板。一块板上有34*34*18=20808颗磁芯，16位1k（加一个校验位），多余的是备用。每个磁芯直径不到一毫米，穿三根线。线很细，不知道她们是怎么完成的。

童鞋们，问一下，国内的存储器生产厂家有哪些呀，都在什么地方？

用外贸公司的方式自己做国外市场吗？不会外语、不懂流程没关系，只要你有稳定的货源保证质量的产品 就可以联系我的微信：17260575652

AT24C512C-SSHD-T可擦可编程只读存储器（EEPROM），每8位65536字。该设备的可级联特性允许多达8个设备共享一个公共2线总线。该设备经过优化，可用于许多工业和商业应用，其中低功率和低电压操作是必不可少的。这些设备有节省空间的8-引线JEDEC SOIC、8-引线EIAJ SOIC、8-引线TSSOP、8-pad UDFN、8-ball WLCSP和8-ball VFBGA封装。 主要规格参数： 制造商零件编号： AT24C512C-SSHD-T 产品分类：储存器 库存： 是的 制造商： 微芯片技术 描述： IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIC 数据表：

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深圳市明佳达电子出售全新原装热销 M24256-BRMN6TP EEPROM存储器 质量有保证 欢迎选购 实单可询价 型号 M24256-BRMN6TP 批号 12+ 封装 SOP8 功能概要 ■与I 2 C扩展寻址兼容 ■两线制I 2 C串行接口支持400kHz协议 ■单电源电压： –M24128-BW，M24256-BW为2.5至5.5V –M24128-BR，M24256-BR为1.8至5.5V ■硬件写控制 ■字节和页面写入（最大64个字节） ■随机和顺序读取模式 ■自定时编程周期 ■自动地址递增 ■增强的ESD /闩锁保护 ■超过100万次擦除/写入周期 产品规格 存储器类型