富士通铁电存储器FRAM|MB85R256F

富士通铁 FRAM
MB85R256FPNF-G-JNERE2
256 K (32 K * 8) Bit FRAM Memory
MB85R256F是一款FRAM(铁电随机存取存储器)芯片，配置为32,768字*8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85R256F能够在不使用备用电池的情况下保留数据。
MB85R256F中使用的存储单元可以用于1012个读/写操作,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作的数量。
MB85R256F采用伪SRAM接口
•位配置:32,768字*8位
•读写耐力:1012次/字节
•数据保留:10年(85 95.c)， 95年(55 95.c)，超过200年(35 95.c)
•工作电源电压:2.7 V ~ 3.6 V
•低功耗:工作电源电流5ma (typp)
待机电流5A(输入)
•工作环境温度范围:<s:1>- 40ºC至85ºC
•包装:28针塑料SOP
: 28针塑料TSOP(1)
两者都符合RoHS标准