明佳达，星际金华供求 晶体管：MSC360SMA120B，MSC360SMA120S，QH8MA4TCR
晶体管 MSC360SMA120B 碳化硅 N 沟道功率 MOSFET TO-247-4
产品描述
MSC360SMA120B 是采用 TO-247 封装的碳化硅 N 沟道功率 MOSFET。
功能图
效率高，可实现更轻、更紧凑的系统
驱动简单，易于并联
散热能力更强，开关损耗更低
无需外部续流二极管
降低系统拥有成本
1200V 集成电路芯片 MSC360SMA120S SiC N 沟道功率 MOSFET TO-268
产品描述
MSC360SMA120S 是采用 TO-268 (D3PAK) 封装的 1200V、360 mΩ SiC N 沟道功率 MOSFET。
功能图
快速可靠的体二极管
卓越的雪崩坚固性
低电容和低栅极电荷
低内部栅极电阻 (ESR) 带来快速开关速度
在高结温下稳定工作，TJ（最大）= 175 °C
QH8MA4TCR Mosfet 阵列 30V 9A 晶体管 8-SMD 表面贴装型
产品描述
QH8MA4TCR 是 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，采用小型、大功率、8 引脚、表面贴装模制封装，具有低导通电阻。
特性
低导通电阻
小型表面贴装封装 (TSMT8)
无铅电镀；符合 RoHS 规范
无卤素