前几天做了一个gan/algan的hemt电学特性仿真，结构很简单，50nmSiN钝化层，25nmAlGaN势垒层，3umGaN缓冲层。跑输出特性和转移特性曲线走势都正常，就是数值比实验结果低一个数量级。附上我的代码，异质结处能带和电子浓度图，还有输出特性转移特性曲线，转移特性漏极忘了是0.1V还是0.5V，输出特性栅压分别为0，-1，-3，-5，漏极从0到20V。实验数据输出特性的漏极电流一般都是几百mA的吧，我这个只有几十mA。。。有大神能帮忙看看是什么问题吗？？
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