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hemt电学特性仿真远低于实验数值,求助
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郑集成
中级粉丝
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该楼层疑似违规已被系统折叠
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前几天做了一个gan/algan的hemt电学特性仿真,结构很简单,50nmSiN钝化层,25nmAlGaN势垒层,3umGaN缓冲层。跑输出特性和转移特性曲线走势都正常,就是数值比实验结果低一个数量级。附上我的代码,异质结处能带和电子浓度图,还有输出特性转移特性曲线,转移特性漏极忘了是0.1V还是0.5V,输出特性栅压分别为0,-1,-3,-5,漏极从0到20V。实验数据输出特性的漏极电流一般都是几百mA的吧,我这个只有几十mA。。。有大神能帮忙看看是什么问题吗??
送TA礼物
IP属地:陕西
1楼
2024-08-16 22:31
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射手碧海晴天
高级粉丝
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考虑极化效应了没
IP属地:北京
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3楼
2024-08-19 19:47
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小烦小烦
初级粉丝
1
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调整网格
IP属地:北京
来自
Android客户端
4楼
2024-08-30 09:17
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毛不改October
初级粉丝
1
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想问一下为什么源极和漏极也要定义功函数参数,它俩不是欧姆接触吗?
IP属地:陕西
5楼
2025-02-27 17:22
回复(1)
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哇啦WOWB
核心吧友
7
该楼层疑似违规已被系统折叠
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有时候调整一些掺杂,结构电流量级都会发生挺大变化的
IP属地:浙江
来自
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6楼
2025-02-28 21:34
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