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hemt电学特性仿真远低于实验数值,求助

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前几天做了一个gan/algan的hemt电学特性仿真,结构很简单,50nmSiN钝化层,25nmAlGaN势垒层,3umGaN缓冲层。跑输出特性和转移特性曲线走势都正常,就是数值比实验结果低一个数量级。附上我的代码,异质结处能带和电子浓度图,还有输出特性转移特性曲线,转移特性漏极忘了是0.1V还是0.5V,输出特性栅压分别为0,-1,-3,-5,漏极从0到20V。实验数据输出特性的漏极电流一般都是几百mA的吧,我这个只有几十mA。。。有大神能帮忙看看是什么问题吗??








IP属地:陕西1楼2024-08-16 22:31回复
    考虑极化效应了没


    IP属地:北京来自Android客户端3楼2024-08-19 19:47
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      调整网格


      IP属地:北京来自Android客户端4楼2024-08-30 09:17
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        想问一下为什么源极和漏极也要定义功函数参数,它俩不是欧姆接触吗?


        IP属地:陕西5楼2025-02-27 17:22
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          有时候调整一些掺杂,结构电流量级都会发生挺大变化的


          IP属地:浙江来自iPhone客户端6楼2025-02-28 21:34
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