IRL80HS120:80V MOSFET 晶体管
型号:IRL80HS120
封装:6-PQFN
类型:MOSFET 晶体管
IRL80HS120 是适用于低 VGS 的新型逻辑级 MOSFET 晶体管。它非常适合无线充电、电信和适配器应用。
星际金华,明佳达供应,回收IRL80HS120。
产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):540 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):11.5W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:6-PQFN(2x2)
封装/外壳:6-PowerVDFN
型号:IRL80HS120
封装:6-PQFN
类型:MOSFET 晶体管
IRL80HS120 是适用于低 VGS 的新型逻辑级 MOSFET 晶体管。它非常适合无线充电、电信和适配器应用。
星际金华,明佳达供应,回收IRL80HS120。
产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):540 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):11.5W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:6-PQFN(2x2)
封装/外壳:6-PowerVDFN