短波红外对近室温目标的探测成像类似于可见光的反射式成像，一方面拥有中长波红外探测缺少的细节分辨能力，另一方面具有穿透烟雾进行成像等可见光探测不具备的能力。随着短波红外探测器在军事、民用领域的广泛应用，对短波红外探测器的性能、成本提出了更高的要求。
目前用于制造短波红外探测器的材料主要有HgCdTe、InGaAs、PbS、PtSi等，随着InGaAs材料生长和芯片制作工艺的不断成熟，相较于其他材料，采用InGaAs材料制备的探测器由于高达约70%~90%的量子效率、室温下约8000 cm2/（V·s）的高迁移率，以及高灵敏度、高速响应、低成本的应用优势，是目前短波红外探测器的最佳选择。为了进一步扩展波长、提高分辨率、降低成本，发展了基于Ⅱ类超晶格、胶体量子点、硅基材料等新材料和新工艺的短波红外探测器。
InGaAs短波红外探测器发展现状
全球主要地区InGaAs短波红外探测器销售收入规模
2022年全球InGaAs短波红外探测器市场规模大约为1.66亿美金，预计2029年将达到2.77亿美金，2023-2029期间年复合增长率（CAGR）为7.98%。中国InGaAs短波红外探测器市场收入在2022年达到了2482万美元，预计2029年将达到4985万美元，年复合增长率（CAGR）为10.53%（2023-2029）。
全球主要InGaAs短波红外探测器制造商包括滨松光子、SCD、Lynred、I3system、Teledyne Technologies、Sensors Unlimited等。全球领先厂商以出色的产品性能和满意的服务在行业中享有盛誉。但市场竞争日趋激烈，越来越多的厂商进入InGaAs短波红外探测器市场；中国领先本土制造商，如济物光电、国惠光电、中科德芯、立鼎光电。
InGaAs短波红外探测器主要类型为单元、线阵、面阵InGaAs短波红外探测器，目前单元InGaAs短波红外探测器占有最大销量市场份额。
北美、欧洲、亚太等地区是InGaAs短波红外探测器的主要消费地区，其中亚太地区是最大的消费地区，2022年亚太地区占有全球收入的39%左右。