锗二极管和硅二极管的内部结构都由P型半导体和N型半导体构成。在P型区域中，杂原子被掺入，使得材料带有正电荷；在N型区域中，则掺入了杂原子，使得材料带有负电荷。当P型区和N型区结合在一起时，形成一个PN结。在PN结中，由于材料性质的差异，会形成一个电势垒，使得电子在PN结的一侧被阻挡，而在另一侧可以自由流动。这就是二极管的特性，可以用来实现电路中的整流、放大、稳压等功能。锗二极管和硅二极管的主要区别在于二者的材料不同，锗二极管的导电性能较差，但其工作温度范围更广。