芯片失效分析定位在不破坏样品或者部分破坏样品的情况下，定位出失效问题的物理位置。通常使用的分析方法包括X-ray, Thermal, CSAM, EMMI, OBIRCH, TDR等。
一、EMMI是在芯片失效分析定位里最为常见的分析手段。通过测量样品加偏压所释放出来的光子来定位故障点。这个方法可以非常灵敏的测出微量光子，通过和背景图片重叠可以显现漏电的具体位置。
应用范围：
侦测各种组件缺陷所产生的漏电等，闸极氧化层缺陷（Gate oxide defects）、静电放电破坏（ESD Failure）、在电路验证中产生闩锁效应（Latch Up）及漏电（Leakage）接面漏电（Junction Leakage）、顺向偏压（Forward Bias）及在饱和区域操作的晶体管，均可由EMMI定位，找热点（Hot Spot或找亮点）位置CMOS图像传感芯片及LED柔性液晶屏array区域的坏点或漏电区域的侦测LED类型的芯片晶体管横向电流分布不均漏电（Leakage）等等。
1.检测芯片封装打线和芯片内部线路短路。
2.晶体管和二极管的短路和漏电。
3.TFT LCD面板&PCB/PCBA的金属线路缺陷和短路。
4.PCB/PCBA上的部分失效元器件。
5.介电层（Oxide）漏电。
6.ESD闭锁效应。
7.3D封装（Stacked Die）失效点的深度预估。
8.芯片未开封的失效点的定位侦测（区分封装于Die）
9.低阻抗短路（<10ohm）的问题分析常用于分析一些未开盖的样品测试，以及大型PCB上的金属线路及元器件的失效定位，金属层遮挡OBIRCH及INGAAS无法侦测的漏电（Leakage）、短路等情况也会使用其进行分析。
侦测得到亮点之情况：
会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electrons;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage（F-N current））;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes（break down） 等。
侦测不到亮点之情况：
不会出现亮点的故障 - 欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。
亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。
失效分析交流-张工-WeChat 18612392141（可加交流群）
二、OBIRCH是先进制程里最有效的定位方法，通过用高度聚焦的激光扫描通过加电压芯片的表面，可以找到短路/开路的故障点。高度聚焦的激光会在聚焦的区域内造成局部温度上升。这样的温度变化会造成电阻的变化而导致外加电压或电流的变化。激光扫描的方法有两种激光波段1340nm和1064nm，可以适用于硅片和III-V族器件的正面和背面分析。
光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）常见集成在一个检测系统，合称PEM（Photo Emission Microscope），两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。比如检测细微漏电，快速失效定位。
胜科纳米提供的微观成像分析服务包括：
微光显微（EMMI InGaAs）
激光失效定位（OBIRCH）
热成像显微仪（Thermal Microscopy）
开封（Decapsulation）
芯片线路修改（FIB Circuit Edit）
2维X光成像（2D X-Ray）
3维X光成像（3D X-Ray / CT）
导电式原子力显微镜（CAFM）
原子力探针（AFP）
半导体特征曲线（I-V Curve）
ESD（静电测试）
可靠性验证（Reliability Test)
wechat : 18612392141
一、EMMI是在芯片失效分析定位里最为常见的分析手段。通过测量样品加偏压所释放出来的光子来定位故障点。这个方法可以非常灵敏的测出微量光子，通过和背景图片重叠可以显现漏电的具体位置。
应用范围：
侦测各种组件缺陷所产生的漏电等，闸极氧化层缺陷（Gate oxide defects）、静电放电破坏（ESD Failure）、在电路验证中产生闩锁效应（Latch Up）及漏电（Leakage）接面漏电（Junction Leakage）、顺向偏压（Forward Bias）及在饱和区域操作的晶体管，均可由EMMI定位，找热点（Hot Spot或找亮点）位置CMOS图像传感芯片及LED柔性液晶屏array区域的坏点或漏电区域的侦测LED类型的芯片晶体管横向电流分布不均漏电（Leakage）等等。
1.检测芯片封装打线和芯片内部线路短路。
2.晶体管和二极管的短路和漏电。
3.TFT LCD面板&PCB/PCBA的金属线路缺陷和短路。
4.PCB/PCBA上的部分失效元器件。
5.介电层（Oxide）漏电。
6.ESD闭锁效应。
7.3D封装（Stacked Die）失效点的深度预估。
8.芯片未开封的失效点的定位侦测（区分封装于Die）
9.低阻抗短路（<10ohm）的问题分析常用于分析一些未开盖的样品测试，以及大型PCB上的金属线路及元器件的失效定位，金属层遮挡OBIRCH及INGAAS无法侦测的漏电（Leakage）、短路等情况也会使用其进行分析。
侦测得到亮点之情况：
会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electrons;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage（F-N current））;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes（break down） 等。
侦测不到亮点之情况：
不会出现亮点的故障 - 欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。
亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。
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二、OBIRCH是先进制程里最有效的定位方法，通过用高度聚焦的激光扫描通过加电压芯片的表面，可以找到短路/开路的故障点。高度聚焦的激光会在聚焦的区域内造成局部温度上升。这样的温度变化会造成电阻的变化而导致外加电压或电流的变化。激光扫描的方法有两种激光波段1340nm和1064nm，可以适用于硅片和III-V族器件的正面和背面分析。
光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）常见集成在一个检测系统，合称PEM（Photo Emission Microscope），两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。比如检测细微漏电，快速失效定位。
胜科纳米提供的微观成像分析服务包括：
微光显微（EMMI InGaAs）
激光失效定位（OBIRCH）
热成像显微仪（Thermal Microscopy）
开封（Decapsulation）
芯片线路修改（FIB Circuit Edit）
2维X光成像（2D X-Ray）
3维X光成像（3D X-Ray / CT）
导电式原子力显微镜（CAFM）
原子力探针（AFP）
半导体特征曲线（I-V Curve）
ESD（静电测试）
可靠性验证（Reliability Test)
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