山东美华第三代半导体GaN氮化镓RF射频及功率芯片、集成电路芯片及封测生产项目
建设周期 2021至2023
投资总额 100000万元 进展阶段 工程设计
申报方式 备案制 项目性质 改扩建
所在地 山东省菏泽市经济技术开发区淮河路以北、台湾路以西
主要设备 钻机,冲床,钻孔机,测试机,丝印机,冲孔机,自动装配线,液压机,成型机,焊接机
建设内容
主要产品 占地256亩，总建设面积18.9万平方米，主要建设碳化硅基氮化镓六晶圆厂及硅基氮化镓八晶圆厂生产线、IGBT模块生产线、器件分装生产线等，主要产品包括硅基和碳化硅基氮化镓RF射频芯片、5G光通信芯片及模块、IGBT模块、激光器、探测器、功率器件、GaN芯片线等。建成后可年产碳化硅基氮化镓外延片10000片/年、硅基氮化镓外延片30000片/年，以及氮化镓RF射频芯片30000片/年。
可以提供负责人联系方式
电缆甲方采购，中秋节后
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