编辑：ll ASE90N25-ASEMI工业电机专用ASE90N25 型号：ASE90N25 品牌：ASEMI 封装：TO-247 批号：最新 最大漏源电流：90A 漏源击穿电压：250V RDS（ON）Max：26mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 面对新能源、重工装备领域对功率密度的极致需求，传统MOSFET的电流承载能力已逼近物理极限。ASE90N25大电流功率器件以90A持续负载能力+2500V超高耐压的双重突破，为高压大电流场景提供颠覆性解决

编辑：LL ASE50N25-ASEMI光伏逆变器专用ASE50N25 型号：ASE50N25 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：250V 批号：最新 RDS（ON）Max：45mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 在工业自动化与新能源技术飞速发展的今天，设备对功率器件的性能要求愈发严苛。ASE50N25高压MOSFET凭借其突破性的技术参数，正成为工程师眼中电源管理系统的理想选择。 核心优势：为稳定而生 高压耐受：2

编辑：ll ASE40N25-ASEMI电动工具专用ASE40N25 型号：ASE40N25 品牌：ASEMI 封装：TO-247 批号：最新 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：250V RDS（ON）Max：70mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 为何聚焦40N25？ 在电动工具、工业电机驱动、UPS不间断电源等高压场景中，电力系统的效率与可靠性面临双重考验。ASE40N25 MOS管凭借40A持续电流+250V高耐压的精准性能平衡，以“高压低损、快速响应

编辑：ll ASE40N25-ASEMI电动工具专用ASE40N25 型号：ASE40N25 品牌：ASEMI 封装：TO-247 批号：最新 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：250V RDS（ON）Max：70mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 为何聚焦40N25？ 在电动工具、工业电机驱动、UPS不间断电源等高压场景中，电力系统的效率与可靠性面临双重考验。ASE40N25 MOS管凭借40A持续电流+250V高耐压的精准性能平衡，以“高压低损、快速响应

编辑：LL ASE90N20-ASEMI工业电源专用ASE90N20 型号：ASE90N20 品牌：ASEMI 封装：TO-263 最大漏源电流：90A 漏源击穿电压：200V 批号：最新 RDS（ON）Max：7.5mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ 为什么选择ASE90N20？ 在新能源汽车、工业电源、5G基站等场景中，电力系统的效率与稳定性直接决定产品竞争力。ASE90N20 MOS管凭借90A电流承载+200V耐压的硬核性能，以“低损耗、高可靠、易集成”三大优势，成为

编辑：ll ASE50N20-ASEMI无线充电专用ASE50N20 型号：ASE50N20 品牌：ASEMI 封装：TO-263 批号：最新 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：200V RDS（ON）Max：51mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ ASE50N20 MOS场效应管采用N沟道设计，具备200V漏源击穿电压和50A连续漏极电流，可满足高功率场景下的稳定运行需求。其导通电阻（RDS(ON)）低至46mΩ@10V，显著 低导通损耗，提升系统能效。器件支持TO-263

编辑：LL ASE40N20-ASEMI工业控制专用ASE40N20 型号：ASE40N20 品牌：ASEMI 封装：TO-263 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：200V 批号：最新 RDS（ON）Max：65mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE40N20场效应管是一款N沟道增强型功率MOSFET，200V漏源击穿电压（BVDSS）和40A连续漏极电流的设计使其适用于高电压、大电流场景。其导通电阻（RDS(ON)）低至0.08Ω（Max @VGS=10V），显著降低导通损耗，提升系统效率

编辑：ll ASE30N20-ASEMI电机驱动专用ASE30N20 型号：ASE30N20 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：30A 漏源击穿电压：200V RDS（ON）Max：62mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ ASE30N20 MOS管：高功率电子系统的“效能心脏” 在工业升级与能源变革的浪潮中，ASE30N20 MOS管凭借“高耐压、低损耗、快响应”三位一体的硬核性能，成为电力电子领域的“效能心脏”。

编辑：LL 为何选择MOS管？从基础到进阶的突破MOS管作为现代电子设备的“开关”，承担着高效控制电流与电压的核心任务。与传统晶体管相比，MOS管具备导通电阻低、开关速度快、功耗小等优势，尤其在高频、高功率场景下表现更为突出。而ASE18N20 MOS管在此基础上更进一步，通过优化设计与材料工艺，实现了三大关键性能的跃升：ASE18N20-ASEMI灯光控制专用ASE18N20 型号：ASE18N20 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：18A 漏源击穿电压：200V 批号：最新 RDS

编辑：ll 一、性能卓越，能效先锋 9N20 MOS 管最为人称道的便是它超低的导通电阻。在电路中，犹如为电流开辟了一条 “高速公路”，让电能得以高效传输，极大减少了因电阻产生的热损耗。这意味着无论是为便携设备供电的 DC - DC 转换器，还是驱动大功率电机的驱动器，使用 9N20 MOS 管都能显著延长电池续航时间，降低系统整体功耗，让设备摆脱频繁充电的困扰，实现真正的节能与长效运行。 其超高的开关速度更是一绝，能够在纳秒级内完成导通与

编辑：ll 在电子元件的浩瀚星空中，5N20 MOS 管宛如一颗璀璨夺目的巨星，正以其卓越性能重塑着各个领域的科技格局，成为工程师与电子爱好者们手中的 “神器”。 性能卓越，动力澎湃 5N20 MOS 管最引人瞩目的当属其超高的电流承载能力，高达 5A 的连续漏极电流，如同电子高速公路上的超级跑车，能够在瞬间为复杂电路输送强劲动力，确保设备在高负荷运行下稳定如常。无论是工业自动化控制系统中驱动大功率电机，使其精准运转，还是在电脑主板

编辑：ll 强劲功率处理，驱动无限潜能 ASE150N10 最为亮眼之处在于它出色的电流承载能力。高达 150A 的连续漏极电流，如同一条奔腾不息的电子洪流，能够轻松应对各类大功率需求场景。想象一下，在电动汽车的动力控制系统里，它稳稳地调控着电机的电能输入，确保车辆在加速、爬坡时都能获得强劲且稳定的动力，丝毫不会因电流过载而 “气喘吁吁”；工业级的电焊机中，ASE150N10 负责精准控制大电流的通断，让焊点牢固可靠，每一次电流脉冲的输

编辑：ll 解锁电子潜能：探秘 ASE80N10 场效应管的卓越力量 在电子元件的浩瀚星空中，ASE80N10 场效应管宛如一颗闪耀的巨星，正以其超凡性能重塑着无数电路设计的格局，为科技产品注入澎湃动力，开启智能生活新篇章。 ASE80N10-ASEMI中低压MOS管ASE80N10 型号：ASE80N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：100V 批号：最新 RDS（ON）Max：9.5mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温

编辑：ll 解锁电子潜能：探秘 ASE80N10 场效应管的卓越力量 在电子元件的浩瀚星空中，ASE80N10 场效应管宛如一颗闪耀的巨星，正以其超凡性能重塑着无数电路设计的格局，为科技产品注入澎湃动力，开启智能生活新篇章。 ASE80N10-ASEMI中低压MOS管ASE80N10 型号：ASE80N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：100V 批号：最新 RDS（ON）Max：9.5mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温

编辑：ll 3SRB5016-ASEMI三相整流桥3SRB5016 型号：3SRB5016 品牌：ASEMI 封装：3SRB-5 批号：2024+ 现货：50000+ 最大重复峰值反向电压：1600V 最大正向平均整流电流(Vdss)：50A 功率(Pd)：大功率 芯片个数：5 引脚数量：5 安装方式：直插 类型：整流扁桥、整流桥 正向浪涌电流：500A 正向电压：1.00V~1.30V 封装尺寸：如图 工作温度：-55°C~150°C 3SRB5016特性： 高浪涌电流通过能力 高可靠性 高导热性能 高温焊接性能 应用领域： 开关电源 无人机专用 电焊机 逆变焊机 逆变箱

编辑：ll 在当今电子科技飞速发展的时代，各类电子设备充斥着我们的生活，从日常使用的手机、电脑，到工业生产中的大型机械，稳定的电力供应都是它们正常运转的基石。而在这背后，有一个常常被忽视却又至关重要的元件 ——KBP310 整流桥。 KBP310-ASEMI整流桥稳定电力的核心担当 型号：KBP310 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 正向电流：3A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：60A 芯片材质：GPP

编辑：ll 在电子元件的广袤天地里，有一位默默耕耘却发挥着关键作用的 “幕后英雄”——KBL410 整流桥。 KBL410-ASEMI整流桥电路中的得力助手 型号：KBL410 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 特性：插件整流桥 正向电流：4A 反向耐压：1000V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：200A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的KBL410整流桥 对于众多电子设备而言，稳定且高效的直流电供应是其正常运转的基

编辑：ll 10N10-ASEMI场效应MOS管，作为一种金属 - 氧化物半导体场效应晶体管，以其卓越的性能表现成为工程师们的得力助手。首先不得不提的是它出色的电流承载能力，高达 10A 的连续漏极电流，宛如电子高速公路上的超级跑车，能够让大电流顺畅通过，为功率较大的电路提供稳定可靠的动力支持。这意味着在诸如电动车控制器、工业电机驱动等对电流需求苛刻的场景下，10N10-ASEMI场效应MOS管管都能稳稳 “hold 住” 场面，确保设备高效运行，避免因电

编辑：ll 2P4M外观与基本结构 2P4M 可控硅通常封装在一个小巧的塑料外壳内，从外观上看，它有着几个标志性的引脚。一般为三脚结构，每个引脚都肩负着不同的使命。其内部结构精密复杂，核心是由多层半导体材料交替堆叠而成，这些半导体层经过精心设计与掺杂工艺处理，形成了能够精准控制电流导通与截止的 PN 结区域，这是它实现神奇功能的物理根基。 2P4M-ASEMI照明控制专用2P4M 型号：2P4M 品牌：ASEMI 封装：TO-126 正向电流：20A 反向电压：600V 引脚

编辑：ll 在当今科技飞速发展的时代，电子元器件宛如繁星般璀璨，而 BT153 可控硅无疑是其中一颗耀眼的明星，正悄然改变着我们的生活与众多产业的格局。 你是否留意过家中灯光的平滑调光？当夜幕降临，轻轻旋转调光旋钮，灯光由暗渐亮，温馨氛围随之而来。这背后的 “功臣” 便是 BT153 可控硅。它以卓越的性能精准调控电流，让灯光随心而变，无论是浪漫晚餐时的柔和光线，还是阅读学习时的明亮照度，都能轻松营造。不仅如此，在智能家电

编辑：ll 在电子元件的浩瀚星空中，BT152 双向可控硅宛如一颗璀璨夺目的明星，正闪耀着独特的光芒，为众多领域的发展注入强大动力。 BT152-ASEMI家用电器专用BT152 型号：BT152 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：单向可控硅 正向电流：12A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：单向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ 对于工业自动化生产线而言，BT152 双向可控硅就是精准操控的得力助手。它能够以极高的灵敏度控制电

编辑：ll 在当今科技飞速发展的时代，电子元件宛如繁星般点缀着各个领域，而 BT151 单向可控硅无疑是其中一颗极为耀眼的明星。 BT151-ASEMI电机控制专用BT151 型号：BT151 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：12A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 漏电流：>10ua 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：单向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BT151单向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频

编辑：ll BTA24-ASEMI双向可控硅的卓越魅力 型号：BTA24 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：单向可控硅 正向电流：25A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：单向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ 在电子元件的广袤天地里，有一颗璀璨的明星正熠熠生辉，它就是 BTA24 双向可控硅。对于众多电子设备爱好者以及专业工程师而言，它的出现宛如一场及时雨，为各类电路设计带来了无限可能。 BTA24 双向可控硅究竟有着怎样的

编辑：ll BTA16-ASEMI固态继电器专用BTA16 型号：BTA16 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：16A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BTA16的电性参数：正向电流16A；反向电压600V~800V BTA16双向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频调速

编辑：ll BTA12-ASEMI三象限双向可控硅BTA12 型号：BTA12 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：双向可控硅 正向电流：12A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BTA12应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BTA12双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BTA12双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具

编辑：ll BTB24-ASEMI电气加热设备专用BTB24 型号：BTB24 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：25A 反向电压：600V~1600V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BTB24的电性参数：正向电流25A；反向电压600V~1600V BTB24双向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频调速

编辑：ll BTB16-ASEMI工业电炉专用BTB16 型号：BTB16 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：双向可控硅 正向电流：16A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BTB16应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BTB16双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BTB16双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良

编辑：ll BTB08-ASEMI电气加热设备专用BTB08 型号：BTB08 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：8A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BTB08的电性参数：正向电流8A；反向电压600V~800V BTB08双向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频调速

编辑：ll BTB06-ASEMI工业电炉专用BTB06 型号：BTB06 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：双向可控硅 正向电流：6A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BTB06应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BTB06双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BTB06双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良

编辑：ll BTB04-ASEMI电动工具专用BTB04 型号：BTB04 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：8A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BTB04的电性参数：正向电流8A；反向电压600V~800V BTB04双向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频调速

编辑：ll BT138-ASEMI灯具继电器激动器专用BT138 型号：BT138 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：可控硅 正向电流：12A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BT138应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BT138双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BT138双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具

编辑：ll BT137-ASEMI小型马达控制器专用BT137 型号：BT137 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：8A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BT137的电性参数：正向电流8A；反向电压600V~800V BT137双向可控硅应用领域： 各种万能开关器 小型马达控制器 彩灯控制器 漏电保护器 灯具继电器激动器 逻辑集成电路驱动 大功率可控硅门极驱动 摩托车点

编辑：ll BT136-ASEMI漏电保护器专用BT136 型号：BT136 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：可控硅 正向电流：4A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BT136应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BT136双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BT136双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良好

编辑：ll BT134-ASEMI万能开关器专用可控硅BT134 型号：BT134 品牌：ASEMI 封装：TO-126 正向电流：4A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~125℃ BT134的电性参数：正向电流4A；反向电压600V BT134双向可控硅应用领域： 各种万能开关器 小型马达控制器 彩灯控制器 漏电保护器 灯具继电器激动器 逻辑集成电路驱动 大功率可控硅门极驱动 摩托车点火器等

编辑：ll BT131-ASEMI漏电保护器专用BT131 型号：BT131 品牌：ASEMI 封装：TO-92 特性：可控硅 正向电流：1A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：单向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BT131应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BT131双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BT131双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良好的

编辑：ll 65R180-ASEMI逆变器专用MOS管65R180 型号：65R180 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：21A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：180mΩ 引脚数量：3 沟道类型：超洁MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R180的电性参数：最大漏源电流21A；漏源击穿电压650V 特征： 超结MOS管 N沟道MOS管 逆变器 650R180替代型号

编辑：ll 200N03-ASEMI豆浆机专用MOS管200N03 型号：200N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：200A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：1.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的200N03 MOS管 ASEMI品牌200N03是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了200N03的最大漏源电流200A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 200N03，ASEMI品牌，

编辑：ll 100N10-ASEMI小家电专用MOS管100N10 型号：100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：8.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的100N10 MOS管 ASEMI品牌100N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了100N10的最大漏源电流100A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 100N10，ASEMI品牌

编辑：ll 100N03-ASEMI豆浆机专用MOS管100N03 型号：100N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：5.0mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 100N03场效应管：中低压MOS管、N沟道MOS管用途：小家电、电机控制、高速吹风筒、豆浆机、电机设备。 100N03的电性参数：最大漏源电流100A；漏源击穿电压30V 特征：

编辑：ll 80N10-ASEMI高速风筒专用MOS管80N10 型号：80N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：9.5mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的80N10 MOS管 ASEMI品牌80N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了80N10的最大漏源电流80A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 80N10，ASEMI品牌，工

编辑：ll 80N03-ASEMI电机控制专用MOS管80N03 型号：80N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：6.5mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 80N03场效应管：中低压MOS管、N沟道MOS管用途：小家电、电机控制、高速吹风筒、豆浆机、电机设备。 80N03的电性参数：最大漏源电流80A；漏源击穿电压30V 特征： 低

编辑：ll 60N02-ASEMI电机设备专用MOS管60N02 型号：60N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：6mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的60N02 MOS管 ASEMI品牌60N02是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了60N02的最大漏源电流60A，漏源击穿电压20V. •细节体现差距 60N02，ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll 50N06-ASEMI吹风筒专用MOS管50N06 型号：50N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V 批号：最新 RDS（ON）Max：15mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ 50N06场效应管 50N06的电性参数：最大漏源电流50A；漏源击穿电压60V 特征：中低压MOS管，一般用于小家电、电机控制、高速吹风筒、豆浆机、电机设备 低固有电容。 出

编辑：ll 50N03-ASEMI小家电专用MOS管50N03 型号：50N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的50N03 MOS管 ASEMI品牌50N03是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50N03的最大漏源电流50A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 50N03，ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll 40N02-ASEMI豆浆机专用MOS管40N02 型号：40N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：20V 批号：最新 RDS（ON）Max：8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 40N02场效应管 40N02的电性参数：最大漏源电流40A；漏源击穿电压20V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值

编辑：ll 30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管30N06 型号：30N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：30A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：24mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的30N06 MOS管 ASEMI品牌30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30N06的最大漏源电流30A，漏源击穿电压60V. •细节体现差距 30N06，ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll 10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管10N10 型号：10N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：100V 批号：最新 RDS（ON）Max：135mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 10N10场效应管 10N10的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压100V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型

编辑：ll 50P06-ASEMI中低压P沟道MOS管50P06 型号：50P06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：-50A 漏源击穿电压：-60V RDS（ON）Max：33mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的50P06 MOS管 ASEMI品牌50P06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50P06的最大漏源电流-50A，漏源击穿电压-60V. •细节体现差距 50P06，ASEMI品牌，工艺

编辑：ll 40P04-ASEMI中低压P沟道MOS管40P04 型号：40P04 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：-40A 漏源击穿电压：-40V 批号：最新 RDS（ON）Max：25mΩ 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 40P04场效应管 40P04的电性参数：最大漏源电流-40A；漏源击穿电压-40V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll 30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04 型号：30P04 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新 最大漏源电流：-30A 漏源击穿电压：-40V RDS（ON）Max：17mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的30P04 MOS管 ASEMI品牌30P04是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30P04的最大漏源电流-30A，漏源击穿电压-40V. •细节体现差距 30P04，ASEMI品牌，工